|
|
|
|
|
 |
|
|
Авакьянц Гедеон Мовсесович
Специализация: Полупроводниковая электроника
Место рождения: Самарканд
Дата рождения: 12/04/1919
Дата смерти: 10/07/1984
|
|
| Членство: |
Член-корреспондент |
|
Направления деятельности
Теория полупроводников на случай неодинаковой температуры частиц тока и решетки.
Образование
Окончил Среднеазиатский (ныне Ташкентский) ун-т (1942). Д.ф.-м.н. (1958), проф. (1960). Чл.-корр. (1965).
Должности
Научный сотр., зам.директора ФТИ АН УзССР (1942-1960), зав. отделом Ин-та радиофизики и электроники АН АрмССР (1965-1984).
|
|
|
|
|
Анонсы
Публикации в прессе
07/11/2024
1lurer.am |
01/11/2024
hesc.am |
31/10/2024
hesc.am |
30/10/2024
proshloe.com |
с 01.01.2005г. сайт посещался
7 155 950
раз
|
|
![academy [@] sci.am](images/email.jpg "academy [@] sci.am")
