Институт радиофизики и электроники Отделение физики и астрофизики |
N | Название инвестиционного проекта | Разработка и развитие методов мониторинга и управления радиочастотной плазмы в современных технологических процессах | |
1. | Сектор | Электротехника, электроника, энергетика, информационные и компьютерные технологии |
|
2. | Краткое описание проекта | Низкотемпературная плазменная обработка материалов находит широкое применение в различных современных технологических процессах и всё более вытесняет традиционные химические методы обработки. Благодаря таким преимуществам, как уменьшение уровня загрязнения окружающей среды, возможность выборочной обработки, высокая пропускная и разрешающая способность плазменная обработка материалов получила широкое применение особенно при производстве полупроводниковых приборов, ЖК экранов, микроэлектромеханики и т.д. Данный метод был впервые внедрён в процесс производства полупроводниковых приборов в 70-х годах, после чего были поэтапно разработаны более целенаправленные и избирательные методы плазменной обработки. Учитывая, что плазма представляет собой сложную нелинейную систему, а также то, что современные системы контроля и управления имеют большую затратность, в исследованиях основной акцент был поставлен на разработку надёжных и эффективных методов контроля и управления радиочастотной плазмой с относительно малыми материальными и энергетическими затратами. Целью данного проекта является исследование современных проблем контроля и управления РЧ плазмы, усовершенствование используемых методов, а также разработка новых методов, которые позволяют увеличить эффективность и надёжность таких систем. |
|
3. | Период реализации проекта | 2 года | |
4. | Место реализации проекта | Институт радиофизики и электроники НАН РА | |
5. | Общая стоимость проекта (доллар США) | 62.500 | |
6. | Необходимый объем инвестиций (доллар США) | 500.000 | |
7. | Собственные инвестиции (доллар США) | 22.000 | |
8. | Создание рабочих мест | В начале проекта | В конце проекта |
7 | 20 | ||
9. | Срок окупаемости | 3 года | |
10. | Годовой индекс доходности | 20 - 30% | |
11. | Детальные расходы | - |
|
12. | Предложение для инвестора | Существует значительный спрос и рынок, существенная разница между рыночной ценой и себестоимостью, легкая поставка, значительное отношение цена/вес |
|
13. | Контактные данные | Арсен Ахумян – научный руководитель Института радиофизики и электроники НАН РА, зав. лабораторией |